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Microsemi Corporation 1N5821US

Numero parte MFG
1N5821US
quantità disponibile
77700 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore 1N5821US
Numero di parte futuro FT-1N5821US
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
1N5821US Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Corrente: media rettificata (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 30V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 125°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5821US Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 1N5821US-FT

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