casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5820US
codice articolo del costruttore | 1N5820US |
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Numero di parte futuro | FT-1N5820US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5820US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5820US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5820US-FT |
1N6675
Microsemi Corporation
1N6676
Microsemi Corporation
DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
Microsemi Corporation
DSB0.5A20
Microsemi Corporation
DSB0.5A30
Microsemi Corporation
DSB0.5A40
Microsemi Corporation
DSB2810
Microsemi Corporation
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel