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Microsemi Corporation 1N5809US

Name: 1N5809US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1N5809US
Price: 9.04 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (499 reviews)

Numero parte MFG: 1N5809US

quantità disponibile: 68050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 9.04

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fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 1N5809US.pdf

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1N5809US specificazioni

codice articolo del costruttore	1N5809US
Numero di parte futuro	FT-1N5809US
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
1N5809US Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente: media rettificata (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 4A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore	B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5809US Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	1N5809US-FT

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