codice articolo del costruttore | 1N5195 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5195 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5195 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 180V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5195 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5195-FT |
JANTX1N3644
Microsemi Corporation
JANTX1N3611
Microsemi Corporation
JANTX1N3289
Microsemi Corporation
JANTX1N3164
Microsemi Corporation
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
JANTX1N1614
Microsemi Corporation
JANTX1N1204AR
Microsemi Corporation
JANTX1N1204A
Microsemi Corporation
JANTX1N1202A
Microsemi Corporation
JANTX1N1190R
Microsemi Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel