casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4935GHR1G
codice articolo del costruttore | 1N4935GHR1G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4935GHR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N4935GHR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4935GHR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4935GHR1G-FT |
SR806 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR815HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF5JFC C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR107G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel