casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR809 R0G
codice articolo del costruttore | SR809 R0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR809 R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR809 R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR809 R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR809 R0G-FT |
SR506HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR509HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel