casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR815 R0G
codice articolo del costruttore | SR815 R0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR815 R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR815 R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR815 R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR815 R0G-FT |
SR509HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR510HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR515HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR520 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR520HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR520HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel