casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4448 A0G
codice articolo del costruttore | 1N4448 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4448 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4448 A0G-FT |
FR105G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR106G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR107G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER102G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER103G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER104G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel