casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / 1N4437_FT
codice articolo del costruttore | 1N4437_FT |
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Numero di parte futuro | FT-1N4437_FT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4437_FT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 160°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4437_FT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4437_FT-FT |
GBPC2502T
GeneSiC Semiconductor
GBPC35005T
GeneSiC Semiconductor
GBPC35010T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3506T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3508T
GeneSiC Semiconductor
GBPC50005T
GeneSiC Semiconductor
GBPC5001T
GeneSiC Semiconductor
GBPC5002T
GeneSiC Semiconductor
GBPC5004T
GeneSiC Semiconductor
GBPC5006T
GeneSiC Semiconductor
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel