casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC35005T
codice articolo del costruttore | GBPC35005T |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC35005T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC35005T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC35005T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC35005T-FT |
GBPC2502TA
SMC Diode Solutions
GBPC2502WTA
SMC Diode Solutions
GBPC2504TA
SMC Diode Solutions
GBPC2504WTA
SMC Diode Solutions
GBPC2508TA
SMC Diode Solutions
GBPC2508WTA
SMC Diode Solutions
GBPC35005TA
SMC Diode Solutions
GBPC35005WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3501TA
SMC Diode Solutions
GBPC3501WTA
SMC Diode Solutions
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel