casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC5006T
codice articolo del costruttore | GBPC5006T |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC5006T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5006T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 25A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5006T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC5006T-FT |
GBPC3501TA
SMC Diode Solutions
GBPC3501WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3502TA
SMC Diode Solutions
GBPC3502WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3504TA
SMC Diode Solutions
GBPC3504WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3508TA
SMC Diode Solutions
GBPC3508WTA
SMC Diode Solutions
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel