codice articolo del costruttore | 1N3613 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3613 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3613 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3613 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3613-FT |
APTDF430U100G
Microsemi Corporation
APTDF400U120G
Microsemi Corporation
APT15DQ120KG
Microsemi Corporation
APT15DQ60KG
Microsemi Corporation
APT10SCD120K
Microsemi Corporation
APT30DQ60KG
Microsemi Corporation
MSC010SDA120K
Microsemi Corporation
APT15D60KG
Microsemi Corporation
APT30DQ100KG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120K
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel