codice articolo del costruttore | 1N3613 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3613 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3613 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3613 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3613-FT |
APTDF430U100G
Microsemi Corporation
APTDF400U120G
Microsemi Corporation
APT15DQ120KG
Microsemi Corporation
APT15DQ60KG
Microsemi Corporation
APT10SCD120K
Microsemi Corporation
APT30DQ60KG
Microsemi Corporation
MSC010SDA120K
Microsemi Corporation
APT15D60KG
Microsemi Corporation
APT30DQ100KG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120K
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel