casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT30DQ100KG
codice articolo del costruttore | APT30DQ100KG |
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Numero di parte futuro | FT-APT30DQ100KG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT30DQ100KG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 295ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 [K] |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30DQ100KG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT30DQ100KG-FT |
1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5420
Microsemi Corporation
1N5420
Microsemi Corporation
JAN1N5419
Microsemi Corporation
JAN1N5417
Microsemi Corporation
JAN1N4946
Microsemi Corporation
JAN1N4942
Microsemi Corporation
1N4148UR-1
Microsemi Corporation
1N4150UR-1
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel