casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APT10SCD120K
codice articolo del costruttore | APT10SCD120K |
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Numero di parte futuro | FT-APT10SCD120K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT10SCD120K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10SCD120K-FT |
JAN1N5614US
Microsemi Corporation
JAN1N5614
Microsemi Corporation
JAN1N5554US
Microsemi Corporation
JAN1N5551
Microsemi Corporation
1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5420
Microsemi Corporation
1N5420
Microsemi Corporation
JAN1N5419
Microsemi Corporation
JAN1N5417
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel