casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1203R
codice articolo del costruttore | 1N1203R |
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Numero di parte futuro | FT-1N1203R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1203R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1203R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1203R-FT |
LSM140G/TR13
Microsemi Corporation
LSM140GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM150G/TR13
Microsemi Corporation
LSM150GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM160G/TR13
Microsemi Corporation
LSM160GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM160JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM170G/TR13
Microsemi Corporation
LSM170GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM170JE3/TR13
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel