casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1199A
codice articolo del costruttore | 1N1199A |
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Numero di parte futuro | FT-1N1199A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1199A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1199A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1199A-FT |
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.