casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GB02SHT06-46
codice articolo del costruttore | GB02SHT06-46 |
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Numero di parte futuro | FT-GB02SHT06-46 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GB02SHT06-46 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 225°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB02SHT06-46 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GB02SHT06-46-FT |
MUR2510R
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MUR2510
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MURH7020
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MURH7020R
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MBRH20045
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MBRH120100
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EP2S60F484I4N
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10M25SAE144C8G
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XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
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