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GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252

Numero parte MFG
GB01SLT12-252
quantità disponibile
64850 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.0306
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Data di spedizione
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fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
- DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore GB01SLT12-252
Numero di parte futuro FT-GB01SLT12-252
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GB01SLT12-252 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente: media rettificata (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GB01SLT12-252 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GB01SLT12-252-FT

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