casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 10ETS12
codice articolo del costruttore | 10ETS12 |
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Numero di parte futuro | FT-10ETS12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10ETS12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 10ETS12-FT |
VS-15ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5TX3012-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel