casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTP2006E6TA
codice articolo del costruttore | ZXTP2006E6TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTP2006E6TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTP2006E6TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 130mV @ 350mA, 3.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1.1W |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTP2006E6TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTP2006E6TA-FT |
ZXT10P20DE6TC
Diodes Incorporated
ZXT13P20DE6TC
Diodes Incorporated
ZXT13P40DE6TC
Diodes Incorporated
DT955-7
Diodes Incorporated
BCP56-16
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2STN1550
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XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
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XCS10-3VQ100C
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A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
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