casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTP2006E6TA
codice articolo del costruttore | ZXTP2006E6TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTP2006E6TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTP2006E6TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 130mV @ 350mA, 3.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1.1W |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTP2006E6TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTP2006E6TA-FT |
ZXT10P20DE6TC
Diodes Incorporated
ZXT13P20DE6TC
Diodes Incorporated
ZXT13P40DE6TC
Diodes Incorporated
DT955-7
Diodes Incorporated
BCP56-16
STMicroelectronics
NZT6714
ON Semiconductor
2STN1550
STMicroelectronics
FJT44KTF
ON Semiconductor
2STN2540
STMicroelectronics
STN83003
STMicroelectronics
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel