casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2STN2540
codice articolo del costruttore | 2STN2540 |
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Numero di parte futuro | FT-2STN2540 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2STN2540 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 1.6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2STN2540 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2STN2540-FT |
DXT651-13
Diodes Incorporated
DXTN26070CY-13
Diodes Incorporated
FCX495TA
Diodes Incorporated
ZXTN25012EZTA
Diodes Incorporated
ZXTP5401ZTA
Diodes Incorporated
BCX5110TA
Diodes Incorporated
BCX54TA
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
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XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
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EP2AGX95EF35I3N
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EP3C55F780C8N
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EP20K200EQC240-3N
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