casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMST6427-7-F
codice articolo del costruttore | MMST6427-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMST6427-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMST6427-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMST6427-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMST6427-7-F-FT |
MMBTA92-7
Diodes Incorporated
ZXT11N15DFTC
Diodes Incorporated
ZXT11N20DFTC
Diodes Incorporated
ZXTN25015DFHTA
Diodes Incorporated
ZXTN25020BFHTA
Diodes Incorporated
ZXTN25020CFH
Diodes Incorporated
ZXTP25015DFH
Diodes Incorporated
ZXTP25015DFHTA
Diodes Incorporated
DP0150BLP4-7B
Diodes Incorporated
BC846BLP4-7B
Diodes Incorporated
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel