casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMST6427-7-F
codice articolo del costruttore | MMST6427-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMST6427-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMST6427-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMST6427-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMST6427-7-F-FT |
MMBTA92-7
Diodes Incorporated
ZXT11N15DFTC
Diodes Incorporated
ZXT11N20DFTC
Diodes Incorporated
ZXTN25015DFHTA
Diodes Incorporated
ZXTN25020BFHTA
Diodes Incorporated
ZXTN25020CFH
Diodes Incorporated
ZXTP25015DFH
Diodes Incorporated
ZXTP25015DFHTA
Diodes Incorporated
DP0150BLP4-7B
Diodes Incorporated
BC846BLP4-7B
Diodes Incorporated
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.