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Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC

Numero parte MFG
ZXMN6A09KTC
quantità disponibile
53610 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ZXMN6A09KTC specificazioni

codice articolo del costruttore ZXMN6A09KTC
Numero di parte futuro FT-ZXMN6A09KTC
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN6A09KTC Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.15W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A09KTC Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ZXMN6A09KTC-FT

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