casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS123ATC
codice articolo del costruttore | BSS123ATC |
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Numero di parte futuro | FT-BSS123ATC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS123ATC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123ATC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS123ATC-FT |
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
DMN63D1L-7
Diodes Incorporated
MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
ZXMN2069FTA
Diodes Incorporated
DMG2301L-13
Diodes Incorporated
DMG2301LK-13
Diodes Incorporated
DMG2302UK-13
Diodes Incorporated
DMG2302UKQ-13
Diodes Incorporated
DMG2305UXQ-13
Diodes Incorporated
DMG302PU-13
Diodes Incorporated
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel