casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXMN3A01E6TA
codice articolo del costruttore | ZXMN3A01E6TA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ZXMN3A01E6TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN3A01E6TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN3A01E6TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXMN3A01E6TA-FT |
IRFL210
Vishay Siliconix
IRFL210PBF
Vishay Siliconix
IRFL210TR
Vishay Siliconix
IRFL214
Vishay Siliconix
IRFL214PBF
Vishay Siliconix
IRFL214TR
Vishay Siliconix
IRFL4105
Infineon Technologies
IRFL4105PBF
Infineon Technologies
IRFL4105TR
Infineon Technologies
IRFL4105TRPBF
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel