codice articolo del costruttore | IRFL214 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFL214 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFL214 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 790mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 470mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFL214 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFL214-FT |
DMP2066LDMQ-7
Diodes Incorporated
ZXMP4A57E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08E6QTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17E6QTA
Diodes Incorporated
DMP2066LVT-7
Diodes Incorporated
ZXM62P03E6TC
Diodes Incorporated
ZXMN10B08E6TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A08E6TC
Diodes Incorporated
ZXMP2120E5TA
Diodes Incorporated
FQT2P25TF
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel