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Diodes Incorporated ZXM66P02N8TA

Name: ZXM66P02N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXM66P02N8TA
Availability: InStock
Rating: 4.9 (209 reviews)

Numero parte MFG: ZXM66P02N8TA

quantità disponibile: 91420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXM66P02N8TA.pdf

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ZXM66P02N8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXM66P02N8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXM66P02N8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXM66P02N8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2068pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.56W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXM66P02N8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXM66P02N8TA-FT

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