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Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7

Name: DMG3415UFY4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4-7
Availability: InStock
Rating: 4.7 (696 reviews)

Numero parte MFG: DMG3415UFY4-7

quantità disponibile: 60790 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMG3415UFY4-7.pdf

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DMG3415UFY4-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMG3415UFY4-7
Numero di parte futuro	FT-DMG3415UFY4-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMG3415UFY4-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	281.9pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2015H4-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3415UFY4-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMG3415UFY4-7-FT

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