casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXM61N03FTA
codice articolo del costruttore | ZXM61N03FTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXM61N03FTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXM61N03FTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 910mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXM61N03FTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXM61N03FTA-FT |
DMN313DLT-7
Diodes Incorporated
DMP22D6UT-7
Diodes Incorporated
2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
DMG1012TQ-7
Diodes Incorporated
DMN55D0UT-7
Diodes Incorporated
DMN5L06TK-7
Diodes Incorporated
2N7002T-7
Diodes Incorporated
DMN5L06T-7
Diodes Incorporated
ZXMN3A03E6TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A03E6TA
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel