casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZVP4525E6TC
codice articolo del costruttore | ZVP4525E6TC |
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Numero di parte futuro | FT-ZVP4525E6TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVP4525E6TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 197mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±40V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 73pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP4525E6TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZVP4525E6TC-FT |
IRFL214
Vishay Siliconix
IRFL214PBF
Vishay Siliconix
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