casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ZLLS1000TC
codice articolo del costruttore | ZLLS1000TC |
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Numero di parte futuro | FT-ZLLS1000TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZLLS1000TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.16A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 28pF @ 30V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZLLS1000TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZLLS1000TC-FT |
BAT54LPS-7
Diodes Incorporated
1SS361LPH4-7B
Diodes Incorporated
BAS116LPH4-7B
Diodes Incorporated
SBRT05U20LPS-7B
Diodes Incorporated
SBR07U20LPS-7
Diodes Incorporated
SDM1100LP-7
Diodes Incorporated
SBRT4U45LP-7
Diodes Incorporated
BAS20-7-F
Diodes Incorporated
D4G-T
Diodes Incorporated
D1G-T
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel