codice articolo del costruttore | D4G-T |
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Numero di parte futuro | FT-D4G-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D4G-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T1, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D4G-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D4G-T-FT |
RS1BFA
ON Semiconductor
S215FA
ON Semiconductor
SS16FA
ON Semiconductor
SS22FA
ON Semiconductor
SS23FA
ON Semiconductor
US1AFA
ON Semiconductor
US1BFA
ON Semiconductor
US1DFA
ON Semiconductor
US1FFA
ON Semiconductor
US1KFA
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel