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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H(TE12LQM

Name: TPCC8A01-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8A01-H(TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (330 reviews)

Numero parte MFG: TPCC8A01-H(TE12LQM

quantità disponibile: 10430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSV-H MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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TPCC8A01-H(TE12LQM specificazioni

codice articolo del costruttore	TPCC8A01-H(TE12LQM
Numero di parte futuro	FT-TPCC8A01-H(TE12LQM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSV-H
TPCC8A01-H(TE12LQM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8A01-H(TE12LQM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPCC8A01-H(TE12LQM-FT

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