casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / XP152A12C0MR
codice articolo del costruttore | XP152A12C0MR |
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Numero di parte futuro | FT-XP152A12C0MR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP152A12C0MR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP152A12C0MR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XP152A12C0MR-FT |
FDN371N
ON Semiconductor
FDN372S
ON Semiconductor
FDN5618P_G
ON Semiconductor
FDV301N-NB9V005
ON Semiconductor
FDV301N_D87Z
ON Semiconductor
FDV302P-NB8V001
ON Semiconductor
FDV302P_D87Z
ON Semiconductor
FDV303N_NB9U008
ON Semiconductor
FDV304P-D87Z
ON Semiconductor
FDV304P_NB8U003
ON Semiconductor
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel