casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR3090CTE3/TU
codice articolo del costruttore | MBR3090CTE3/TU |
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Numero di parte futuro | FT-MBR3090CTE3/TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR3090CTE3/TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 90V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3090CTE3/TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR3090CTE3/TU-FT |
SBR10U150CT
Diodes Incorporated
MBR10100CT-E1
Diodes Incorporated
SBR30100CT
Diodes Incorporated
SBR30300CT
Diodes Incorporated
DST20100C
Littelfuse Inc.
SBRT60U60CT
Diodes Incorporated
MBR10100CTF-E1
Diodes Incorporated
LQA20T200C
Power Integrations
LQA20T300C
Power Integrations
MBR20200CT-LJ
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel