casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q64CVZPJG TR
codice articolo del costruttore | W25Q64CVZPJG TR |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q64CVZPJG TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q64CVZPJG TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVZPJG TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q64CVZPJG TR-FT |
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAW6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel