casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TC58CYG2S0HRAIG
codice articolo del costruttore | TC58CYG2S0HRAIG |
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Numero di parte futuro | FT-TC58CYG2S0HRAIG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58CYG2S0HRAIG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58CYG2S0HRAIG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TC58CYG2S0HRAIG-FT |
S99FL512SDSMFBG13
Cypress Semiconductor Corp
S99GL016A
Cypress Semiconductor Corp
S99GL01GP0609
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0019
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0030
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N90TFI060
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel