casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q64CVSSJP TR
codice articolo del costruttore | W25Q64CVSSJP TR |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q64CVSSJP TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q64CVSSJP TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVSSJP TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q64CVSSJP TR-FT |
SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.