casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q32FWSSIQ TR
codice articolo del costruttore | W25Q32FWSSIQ TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-W25Q32FWSSIQ TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q32FWSSIQ TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O, QPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q32FWSSIQ TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q32FWSSIQ TR-FT |
SST39WF800B-70-4C-C2QE
Microchip Technology
STK10C68-5C45M
Cypress Semiconductor Corp
STK14C88-L45I
Cypress Semiconductor Corp
STK14C88A-WAF
Cypress Semiconductor Corp
SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel