casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q32FWBYIQ TR
codice articolo del costruttore | W25Q32FWBYIQ TR |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q32FWBYIQ TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q32FWBYIQ TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O, QPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 12-UFBGA, WLCSP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 12-WLCSP (2.31x2.03) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q32FWBYIQ TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q32FWBYIQ TR-FT |
SST39WF400A-90-4I-ZKE
Microchip Technology
SST39WF400B-70-4I-VA
Microchip Technology
SST39WF800B-70-4C-C2QE
Microchip Technology
STK10C68-5C45M
Cypress Semiconductor Corp
STK14C88-L45I
Cypress Semiconductor Corp
STK14C88A-WAF
Cypress Semiconductor Corp
SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel