casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO55-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO55-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO55-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO55-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 58A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO55-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO55-14NO7-FT |
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
VBO125-16NO7
IXYS
VBO130-08NO7
IXYS
VBO130-12NO7
IXYS
VBO130-16NO7
IXYS
VBO130-18NO7
IXYS
VBO160-08NO7
IXYS
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel