casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO35-16NO7
codice articolo del costruttore | VUO35-16NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO35-16NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO35-16NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-16NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO35-16NO7-FT |
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
VBO125-16NO7
IXYS
VBO130-08NO7
IXYS
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel