casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO35-16NO7
codice articolo del costruttore | VUO35-16NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO35-16NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO35-16NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-16NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO35-16NO7-FT |
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
VBO125-16NO7
IXYS
VBO130-08NO7
IXYS
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel