casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO125-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO125-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO125-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO125-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 166A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-C |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO125-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO125-14NO7-FT |
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
UGB3132AD
IXYS
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel