casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO125-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO125-14NO7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VUO125-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO125-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 166A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-C |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO125-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO125-14NO7-FT |
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FBS10-06SC
IXYS
GBO25-12NO1
IXYS
GBO25-16NO1
IXYS
GUO40-16NO1
IXYS
UGB3132AD
IXYS
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel