casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO121-16NO1
codice articolo del costruttore | VUO121-16NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO121-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO121-16NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 118A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.19V @ 40A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO121-16NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO121-16NO1-FT |
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation
DDB6U104N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel