casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO110-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO110-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO110-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO110-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 127A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO110-14NO7-FT |
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
APTDF60H601G
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel