casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO110-08NO7
codice articolo del costruttore | VUO110-08NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO110-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO110-08NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 127A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-08NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO110-08NO7-FT |
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation