casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB160-16NO2
codice articolo del costruttore | VUB160-16NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VUB160-16NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB160-16NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 188A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-16NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB160-16NO2-FT |
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
MSDM50-18
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6FTG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256C6G
Intel
EP4CGX15BF14I7
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP20K200CB356C8
Intel