casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB160-12NO2
codice articolo del costruttore | VUB160-12NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VUB160-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB160-12NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 188A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-12NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB160-12NO2-FT |
MSDM150-08
Microsemi Corporation
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel