casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSB410S-E3/52T
codice articolo del costruttore | VSSB410S-E3/52T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSSB410S-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB410S-E3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.9A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 230pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB410S-E3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSB410S-E3/52T-FT |
SS23SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel