casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS24SHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SS24SHE3_A/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS24SHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS24SHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS24SHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS24SHE3_A/I-FT |
RS1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B/11
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel